
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥17.140064 | ¥17.14 |
| 10 | ¥15.375645 | ¥153.76 |
| 100 | ¥12.35821 | ¥1235.82 |
| 500 | ¥10.15364 | ¥5076.82 |
| 1000 | ¥8.413027 | ¥8413.03 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 72.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 144 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14.8 ns
正向跨导(Min) 37 S
上升时间 22.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25.4 ns
典型接通延迟时间 13.4 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB4620PBF SP001563998
单位重量 2 g
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0IRFB4620PBF
型号:IRFB4620PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥17.140064 |
| 10+: | ¥15.375645 |
| 100+: | ¥12.35821 |
| 500+: | ¥10.15364 |
| 1000+: | ¥8.413027 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.14