货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥20.962438 | ¥20.96 |
10 | ¥18.80454 | ¥188.05 |
100 | ¥15.114191 | ¥1511.42 |
500 | ¥12.417984 | ¥6208.99 |
1000 | ¥10.289201 | ¥10289.20 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 72.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 144 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14.8 ns
正向跨导(Min) 37 S
上升时间 22.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25.4 ns
典型接通延迟时间 13.4 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB4620PBF SP001563998
单位重量 2 g
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0IRFB4620PBF
型号:IRFB4620PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥20.962438 |
10+: | ¥18.80454 |
100+: | ¥15.114191 |
500+: | ¥12.417984 |
1000+: | ¥10.289201 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥20.96