
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥41.62023 | ¥41.62 |
| 10 | ¥34.978098 | ¥349.78 |
| 100 | ¥28.301756 | ¥2830.18 |
| 500 | ¥25.157433 | ¥12578.72 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 8.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB80N06S2L-06 SP001067880
单位重量 4 g
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0IPB80N06S2L06ATMA2
型号:IPB80N06S2L06ATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥41.62023 |
| 10+: | ¥34.978098 |
| 100+: | ¥28.301756 |
| 500+: | ¥25.157433 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥41.62