DMN4800LSSQ-13
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- 制造商编号：
- DMN4800LSSQ-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥1.101221 | ￥2753.05 |
| 5000 | ￥1.030197 | ￥5150.99 |
| 12500 | ￥0.959116 | ￥11988.95 |
| 25000 | ￥0.909432 | ￥22735.80 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
DMN4800LSSQ-13
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
14mOhm @ 9A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
8.7nC @ 5V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
798pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.46W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
DMN4800LSSQ-13 同类别型号
注
DMN4800LSSQ-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、DMN4800LSSQ-13
数据手册PDF
。
DMN4800LSSQ-13
型号：DMN4800LSSQ-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥1.101221 |
| 5000+： | ￥1.030197 |
| 12500+： | ￥0.959116 |
| 25000+： | ￥0.909432 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00