BSC018N04LSGATMA1
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- BSC018N04LSGATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：6468
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.817355 | ￥21.82 |
| 10 | ￥19.53645 | ￥195.36 |
| 25 | ￥18.547585 | ￥463.69 |
| 100 | ￥13.909272 | ￥1390.93 |
| 250 | ￥13.776101 | ￥3444.03 |
| 500 | ￥11.789306 | ￥5894.65 |
| 1000 | ￥9.603602 | ￥9603.60 |
| 2500 | ￥9.471 | ￥23677.50 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSC018N04LSGATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
30A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.8mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 85µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
150nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
12000pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
BSC018N04LSGATMA1 同类别型号
注
BSC018N04LSGATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购BSC018N04LSGATMA1、查询BSC018N04LSGATMA1代理商；
BSC018N04LSGATMA1价格批发咨询客服；这里拥有
BSC018N04LSGATMA1中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到BSC018N04LSGATMA1
替代型号
、BSC018N04LSGATMA1
数据手册PDF
。
BSC018N04LSGATMA1
型号：BSC018N04LSGATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：6468 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.817355 |
| 10+： | ￥19.53645 |
| 25+： | ￥18.547585 |
| 100+： | ￥13.909272 |
| 250+： | ￥13.776101 |
| 500+： | ￥11.789306 |
| 1000+： | ￥9.603602 |
| 2500+： | ￥9.471 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.82