
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥36.256666 | ¥36.26 |
| 10 | ¥23.268518 | ¥232.69 |
| 100 | ¥15.861144 | ¥1586.11 |
| 500 | ¥12.693506 | ¥6346.75 |
| 1000 | ¥11.674648 | ¥11674.65 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 208 A
漏源电阻 1.2 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 167 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 120 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 19 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
购物车
0SIR608DP-T1-RE3
型号:SIR608DP-T1-RE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥36.256666 |
| 10+: | ¥23.268518 |
| 100+: | ¥15.861144 |
| 500+: | ¥12.693506 |
| 1000+: | ¥11.674648 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥36.26