货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
800 | ¥12.915774 | ¥10332.62 |
1600 | ¥10.763145 | ¥17221.03 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 135 A
漏源电阻 4.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 110 ns
正向跨导(Min) 91 S
上升时间 120 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 68 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF2805STRLPBF SP001561594
单位重量 4 g
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0IRF2805STRLPBF
型号:IRF2805STRLPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
800+: | ¥12.915774 |
1600+: | ¥10.763145 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00