DMN4800LSSQ-13
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- 制造商编号：
- DMN4800LSSQ-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO
- 渠道：
- digikey
库存 ：250
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.600706 | ￥7.60 |
| 10 | ￥6.4606 | ￥64.61 |
| 100 | ￥4.821019 | ￥482.10 |
| 500 | ￥3.787323 | ￥1893.66 |
| 1000 | ￥2.92668 | ￥2926.68 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
DMN4800LSSQ-13
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
14mOhm @ 9A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
8.7nC @ 5V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
798pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.46W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
DMN4800LSSQ-13 同类别型号
注
DMN4800LSSQ-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、DMN4800LSSQ-13
数据手册PDF
。
DMN4800LSSQ-13
型号：DMN4800LSSQ-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：250 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.600706 |
| 10+： | ￥6.4606 |
| 100+： | ￥4.821019 |
| 500+： | ￥3.787323 |
| 1000+： | ￥2.92668 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.60