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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 1.9 A
漏源电阻 4.7 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 FQD2N60CTM_WS
单位重量 330 mg
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0FQD2N60CTM-WS
型号:FQD2N60CTM-WS
品牌:ON
供货:锐单
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