货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
800 | ¥12.849377 | ¥10279.50 |
1600 | ¥11.002295 | ¥17603.67 |
2400 | ¥10.359844 | ¥24863.63 |
5600 | ¥9.939254 | ¥55659.82 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 106 A
漏源电阻 7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 220 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 120 ns
正向跨导(Min) 100 S
上升时间 140 ns
晶体管类型 1 N-Channel
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF3808STRLPBF SP001559612
单位重量 330 mg
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0IRF3808STRLPBF
型号:IRF3808STRLPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
800+: | ¥12.849377 |
1600+: | ¥11.002295 |
2400+: | ¥10.359844 |
5600+: | ¥9.939254 |
货期:1-2天
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