货期:国内(1~3工作日)
起订量:8000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
8000 | ¥1.439115 | ¥11512.92 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 224 mA
漏源电阻 650 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 700 pC
耗散功率 139 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 110 ns
正向跨导(Min) 560 mS
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 201 ns
典型接通延迟时间 18 ns
开发套件 -
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.600 mg
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0NTNS3190NZT5G
型号:NTNS3190NZT5G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
8000+: | ¥1.439115 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00