IPT111N20NFDATMA1
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- 制造商编号：
- IPT111N20NFDATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥31.022675 | ￥62045.35 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 96 A
漏源电阻 11.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 65 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导（Min） 82 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPT111N20NFD SP001340384
单位重量 771.020 mg
IPT111N20NFDATMA1 同类别型号
注
IPT111N20NFDATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPT111N20NFDATMA1
数据手册PDF
。
IPT111N20NFDATMA1
型号：IPT111N20NFDATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2000+： | ￥31.022675 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00