
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥137.219888 | ¥137.22 |
| 10 | ¥123.90508 | ¥1239.05 |
| 100 | ¥102.583742 | ¥10258.37 |
| 500 | ¥89.328926 | ¥44664.46 |
| 1000 | ¥77.802727 | ¥77802.73 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 96 A
漏源电阻 11.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 65 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 82 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPT111N20NFD SP001340384
单位重量 771.020 mg
购物车
0IPT111N20NFDATMA1
型号:IPT111N20NFDATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥137.219888 |
| 10+: | ¥123.90508 |
| 100+: | ¥102.583742 |
| 500+: | ¥89.328926 |
| 1000+: | ¥77.802727 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥137.22