货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥37.678672 | ¥37.68 |
10 | ¥33.801415 | ¥338.01 |
100 | ¥27.165107 | ¥2716.51 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 135 A
漏源电阻 4.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 110 ns
正向跨导(Min) 91 S
上升时间 120 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 68 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF2805STRLPBF SP001561594
单位重量 4 g
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0IRF2805STRLPBF
型号:IRF2805STRLPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥37.678672 |
10+: | ¥33.801415 |
100+: | ¥27.165107 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥37.68