SI4134DY-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI4134DY-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.468061 | ￥10.47 |
| 10 | ￥9.182741 | ￥91.83 |
| 100 | ￥7.040103 | ￥704.01 |
| 500 | ￥5.565298 | ￥2782.65 |
| 1000 | ￥4.452238 | ￥4452.24 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI4134DY-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
14mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
23nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
846pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 5W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI4134DY-T1-GE3 同类别型号
注
SI4134DY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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SI4134DY-T1-GE3
型号：SI4134DY-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥10.468061 |
| 10+： | ￥9.182741 |
| 100+： | ￥7.040103 |
| 500+： | ￥5.565298 |
| 1000+： | ￥4.452238 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.47