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起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥1.407459 | ¥3518.65 |
5000 | ¥1.335934 | ¥6679.67 |
12500 | ¥1.240521 | ¥15506.51 |
25000 | ¥1.211882 | ¥30297.05 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 8.7 nC
耗散功率 1.71 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.55 ns
上升时间 4.5 ns
晶体管类型 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.33 ns
典型接通延迟时间 5.03 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0DMG4800LK3-13
型号:DMG4800LK3-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥1.407459 |
5000+: | ¥1.335934 |
12500+: | ¥1.240521 |
25000+: | ¥1.211882 |
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