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DMG4800LK3-13

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMG4800LK3-13
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 10A TO252
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:2500

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
2500 1.407459 3518.65
5000 1.335934 6679.67
12500 1.240521 15506.51
25000 1.211882 30297.05

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

产品 MOSFET Small Signal

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 10 A

漏源电阻 12 mOhms

栅极电压 - 25 V, + 25 V

栅源极阈值电压 800 mV

栅极电荷 8.7 nC

耗散功率 1.71 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 8.55 ns

上升时间 4.5 ns

晶体管类型 N-Channel

典型关闭延迟时间 26.33 ns

典型接通延迟时间 5.03 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 330 mg

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DMG4800LK3-13

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型号:DMG4800LK3-13

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

2500+: ¥1.407459
5000+: ¥1.335934
12500+: ¥1.240521
25000+: ¥1.211882

货期:1-2天

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