DMN10H170SFG-13
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMN10H170SFG-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.070286 | ￥3210.86 |
| 6000 | ￥0.996502 | ￥5979.01 |
| 15000 | ￥0.944817 | ￥14172.26 |
| 30000 | ￥0.922659 | ￥27679.77 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 8.5 A
漏源电阻 99 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 14.9 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.4 ns
上升时间 2.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.9 ns
典型接通延迟时间 4.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
DMN10H170SFG-13 同类别型号
注
DMN10H170SFG-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMN10H170SFG-13
数据手册PDF
。
DMN10H170SFG-13
型号：DMN10H170SFG-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.070286 |
| 6000+： | ￥0.996502 |
| 15000+： | ￥0.944817 |
| 30000+： | ￥0.922659 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00