
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.612961 | ¥8.61 |
| 10 | ¥7.367395 | ¥73.67 |
| 100 | ¥5.505671 | ¥550.57 |
| 500 | ¥4.326091 | ¥2163.05 |
| 1000 | ¥3.342889 | ¥3342.89 |
| 2000 | ¥3.047929 | ¥6095.86 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 224 mA
漏源电阻 650 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 700 pC
耗散功率 139 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 110 ns
正向跨导(Min) 560 mS
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 201 ns
典型接通延迟时间 18 ns
开发套件 -
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.600 mg
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0NTNS3190NZT5G
型号:NTNS3190NZT5G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.612961 |
| 10+: | ¥7.367395 |
| 100+: | ¥5.505671 |
| 500+: | ¥4.326091 |
| 1000+: | ¥3.342889 |
| 2000+: | ¥3.047929 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.61