
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.268757 | ¥8.27 |
| 10 | ¥7.071212 | ¥70.71 |
| 100 | ¥4.915634 | ¥491.56 |
| 500 | ¥3.837845 | ¥1918.92 |
| 1000 | ¥3.11946 | ¥3119.46 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 8.7 nC
耗散功率 1.71 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.55 ns
上升时间 4.5 ns
晶体管类型 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.33 ns
典型接通延迟时间 5.03 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0DMG4800LK3-13
型号:DMG4800LK3-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.268757 |
| 10+: | ¥7.071212 |
| 100+: | ¥4.915634 |
| 500+: | ¥3.837845 |
| 1000+: | ¥3.11946 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.27