TSM80N1R2CI C0G
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- 制造商编号：
- TSM80N1R2CI C0G
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220
- 渠道：
- digikey
库存 ：975
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥90.24449 | ￥90.24 |
| 10 | ￥81.064202 | ￥810.64 |
| 100 | ￥66.413994 | ￥6641.40 |
| 500 | ￥56.536967 | ￥28268.48 |
规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 5.5 A
漏源电阻 900 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 19.4 nC
耗散功率 25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM80N1R2CI
单位重量 2 g
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注
TSM80N1R2CI C0G品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TSM80N1R2CI C0G
数据手册PDF。
TSM80N1R2CI C0G
型号：TSM80N1R2CI C0G
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：975 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥90.24449 |
| 10+： | ￥81.064202 |
| 100+： | ￥66.413994 |
| 500+： | ￥56.536967 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥90.24