货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥78.707851 | ¥78.71 |
10 | ¥70.701149 | ¥707.01 |
100 | ¥57.923788 | ¥5792.38 |
500 | ¥49.309417 | ¥24654.71 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 5.5 A
漏源电阻 900 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 19.4 nC
耗散功率 25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM80N1R2CI
单位重量 2 g
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0TSM80N1R2CI C0G
型号:TSM80N1R2CI C0G
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
1+: | ¥78.707851 |
10+: | ¥70.701149 |
100+: | ¥57.923788 |
500+: | ¥49.309417 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥78.71