货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥76.666166 | ¥76.67 |
10 | ¥69.26219 | ¥692.62 |
100 | ¥57.339539 | ¥5733.95 |
500 | ¥49.93106 | ¥24965.53 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 1.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 206 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 33 ns
正向跨导(Min) 103 S
上升时间 73 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 86 ns
典型接通延迟时间 28 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB019N08N3 G SP000444110
单位重量 1.600 g
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0IPB019N08N3GATMA1
型号:IPB019N08N3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥76.666166 |
10+: | ¥69.26219 |
100+: | ¥57.339539 |
500+: | ¥49.93106 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥76.67