货期:(7~10天)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥4.704556 | ¥11761.39 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 51 A
漏源电阻 13 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 36 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
正向跨导(Min) 45 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 Single N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM130NB06CR
单位重量 372.608 mg
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0TSM130NB06CR RLG
型号:TSM130NB06CR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥4.704556 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00