
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥24.509103 | ¥24.51 |
| 10 | ¥22.058193 | ¥220.58 |
| 25 | ¥20.808653 | ¥520.22 |
| 100 | ¥17.728722 | ¥1772.87 |
| 500 | ¥14.566341 | ¥7283.17 |
| 1000 | ¥12.66653 | ¥12666.53 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 386 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 64 W
通道模式 Enhancement
下降时间 7 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD60R210PFD7S SP003235792
单位重量 324 mg
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0IPD60R210PFD7SAUMA1
型号:IPD60R210PFD7SAUMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥24.509103 |
| 10+: | ¥22.058193 |
| 25+: | ¥20.808653 |
| 100+: | ¥17.728722 |
| 500+: | ¥14.566341 |
| 1000+: | ¥12.66653 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥24.51