
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥69.15563 | ¥69.16 |
| 10 | ¥62.462394 | ¥624.62 |
| 100 | ¥51.714019 | ¥5171.40 |
| 500 | ¥45.032017 | ¥22516.01 |
| 1000 | ¥39.221481 | ¥39221.48 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 24 V
漏极电流 382 A
漏源电阻 1.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 110 ns
正向跨导(Min) 210 S
上升时间 200 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 9.45 mm
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 AUIRF1324WL SP001516588
单位重量 2.387 g
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0AUIRF1324WL
型号:AUIRF1324WL
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥69.15563 |
| 10+: | ¥62.462394 |
| 100+: | ¥51.714019 |
| 500+: | ¥45.032017 |
| 1000+: | ¥39.221481 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥69.16