
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥47.191168 | ¥47.19 |
| 10 | ¥39.663742 | ¥396.64 |
| 100 | ¥32.091441 | ¥3209.14 |
| 500 | ¥28.525468 | ¥14262.73 |
| 1000 | ¥24.42476 | ¥24424.76 |
| 2000 | ¥22.998601 | ¥45997.20 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 31 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.8 ns
正向跨导(Min) 29 S
上升时间 4.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC350N20NSFD SP001108124
单位重量 119.630 mg
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0BSC350N20NSFDATMA1
型号:BSC350N20NSFDATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥47.191168 |
| 10+: | ¥39.663742 |
| 100+: | ¥32.091441 |
| 500+: | ¥28.525468 |
| 1000+: | ¥24.42476 |
| 2000+: | ¥22.998601 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥47.19