QS5W1TR

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

晶体管极性 NPN

配置 Dual

击穿电压(集电极-发射极) 30 V

集电极—基极电压 30 V

发射极 - 基极电压 6 V

饱和电压 200 mV

最大直流电集电极电流 3 A

耗散功率 1.25 W

增益带宽产品 270 MHz

集电极连续电流 3 A

直流集电极 200 at 500 mA, 2 V

直流电流增益（Max） 500 at 500 mA, 2 V

技术 Si

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

零件号别名 QS5W1