货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.401405 | ¥11.40 |
10 | ¥9.989802 | ¥99.90 |
100 | ¥7.660659 | ¥766.07 |
500 | ¥6.056318 | ¥3028.16 |
1000 | ¥4.845055 | ¥4845.06 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 4.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 18 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4431CDY-GE3
单位重量 187 mg
购物车
0SI4431CDY-T1-GE3
型号:SI4431CDY-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.401405 |
10+: | ¥9.989802 |
100+: | ¥7.660659 |
500+: | ¥6.056318 |
1000+: | ¥4.845055 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.40