
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.97069 | ¥12.97 |
| 10 | ¥10.561847 | ¥105.62 |
| 100 | ¥8.211444 | ¥821.14 |
| 500 | ¥6.959701 | ¥3479.85 |
| 1000 | ¥5.669474 | ¥5669.47 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 51 A
漏源电阻 13 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 37 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
正向跨导(Min) 39 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 Single N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM130NB06LCR
单位重量 372.608 mg
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0TSM130NB06LCR RLG
型号:TSM130NB06LCR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.97069 |
| 10+: | ¥10.561847 |
| 100+: | ¥8.211444 |
| 500+: | ¥6.959701 |
| 1000+: | ¥5.669474 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.97