TSM60N380CI C0G
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- 制造商编号：
- TSM60N380CI C0G
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 11A ITO220
- 渠道：
- digikey
库存 ：975
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥33.434388 | ￥33.43 |
| 10 | ￥30.062615 | ￥300.63 |
| 25 | ￥28.356894 | ￥708.92 |
| 100 | ￥22.117698 | ￥2211.77 |
| 250 | ￥21.550447 | ￥5387.61 |
| 500 | ￥18.715041 | ￥9357.52 |
| 1000 | ￥15.879493 | ￥15879.49 |
| 2500 | ￥15.652678 | ￥39131.69 |
| 5000 | ￥14.518316 | ￥72591.58 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
TSM60N380CI C0G
制造商
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 11A ITO220
包装
Tube
系列
-
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
380mOhm @ 5.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
20.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1040pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
ITO-220AB
封装/外壳
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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注
TSM60N380CI C0G品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TSM60N380CI C0G
数据手册PDF。
TSM60N380CI C0G
型号：TSM60N380CI C0G
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：975 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥33.434388 |
| 10+： | ￥30.062615 |
| 25+： | ￥28.356894 |
| 100+： | ￥22.117698 |
| 250+： | ￥21.550447 |
| 500+： | ￥18.715041 |
| 1000+： | ￥15.879493 |
| 2500+： | ￥15.652678 |
| 5000+： | ￥14.518316 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥33.43