IRF6619TR1
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- 制造商编号：
- IRF6619TR1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥26.06828 | ￥26.07 |
| 10 | ￥22.285546 | ￥222.86 |
| 25 | ￥20.882959 | ￥522.07 |
| 100 | ￥18.857001 | ￥1885.70 |
| 250 | ￥18.701158 | ￥4675.29 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRF6619TR1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
30A (Ta), 150A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.2mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.45V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
57nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
5040pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DIRECTFET™ MX
封装/外壳
DirectFET™ Isometric MX
IRF6619TR1 同类别型号
注
IRF6619TR1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IRF6619TR1
数据手册PDF。
IRF6619TR1
型号：IRF6619TR1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥26.06828 |
| 10+： | ￥22.285546 |
| 25+： | ￥20.882959 |
| 100+： | ￥18.857001 |
| 250+： | ￥18.701158 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥26.07