BSZ0909NSATMA1
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- 制造商编号：
- BSZ0909NSATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON
- 渠道：
- digikey
库存 ：44008
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.537136 | ￥11.54 |
| 10 | ￥10.193399 | ￥101.93 |
| 100 | ￥7.816749 | ￥781.67 |
| 500 | ￥6.179562 | ￥3089.78 |
| 1000 | ￥4.943595 | ￥4943.60 |
| 2000 | ￥4.505999 | ￥9012.00 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSZ0909NSATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
34V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9A (Ta), 36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
12mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
17nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1310pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W (Ta), 25W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN
BSZ0909NSATMA1 同类别型号
注
BSZ0909NSATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、BSZ0909NSATMA1
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。
BSZ0909NSATMA1
型号：BSZ0909NSATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：44008 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.537136 |
| 10+： | ￥10.193399 |
| 100+： | ￥7.816749 |
| 500+： | ￥6.179562 |
| 1000+： | ￥4.943595 |
| 2000+： | ￥4.505999 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.54