
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥26.033188 | ¥26.03 |
| 10 | ¥23.40232 | ¥234.02 |
| 100 | ¥18.805879 | ¥1880.59 |
| 500 | ¥15.451317 | ¥7725.66 |
| 1000 | ¥12.802406 | ¥12802.41 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 18.4 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 36.8 nC
耗散功率 10.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20.2 ns
上升时间 6.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38.1 ns
典型接通延迟时间 5.2 ns
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0ZXMN3A04KTC
型号:ZXMN3A04KTC
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥26.033188 |
| 10+: | ¥23.40232 |
| 100+: | ¥18.805879 |
| 500+: | ¥15.451317 |
| 1000+: | ¥12.802406 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥26.03