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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 1.75 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 5.6 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 45 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.4 ns
典型接通延迟时间 6.8 ns
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 FQD4N25TM_WS
单位重量 330 mg
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0FQD4N25TM-WS
型号:FQD4N25TM-WS
品牌:ON
供货:锐单
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