
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥3.236978 | ¥8092.45 |
| 5000 | ¥3.082825 | ¥15414.13 |
| 12500 | ¥2.94053 | ¥36756.63 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 15.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD30N06S2L-23 SP001061286
单位重量 330 mg
购物车
0IPD30N06S2L23ATMA3
型号:IPD30N06S2L23ATMA3
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥3.236978 |
| 5000+: | ¥3.082825 |
| 12500+: | ¥2.94053 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00