货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥16.581989 | ¥16.58 |
10 | ¥13.527412 | ¥135.27 |
100 | ¥10.523952 | ¥1052.40 |
500 | ¥8.920612 | ¥4460.31 |
1000 | ¥7.266901 | ¥7266.90 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 15.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD30N06S2L-23 SP001061286
单位重量 330 mg
购物车
0IPD30N06S2L23ATMA3
型号:IPD30N06S2L23ATMA3
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.581989 |
10+: | ¥13.527412 |
100+: | ¥10.523952 |
500+: | ¥8.920612 |
1000+: | ¥7.266901 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥16.58