货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥32.496334 | ¥32.50 |
10 | ¥29.135497 | ¥291.35 |
100 | ¥23.420836 | ¥2342.08 |
500 | ¥19.242277 | ¥9621.14 |
1000 | ¥16.493434 | ¥16493.43 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 5.4 A
漏源电阻 820 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 44 nC
耗散功率 31 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导(Min) 2.5 S
上升时间 9 ns
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0SIHA6N80E-GE3
型号:SIHA6N80E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥32.496334 |
10+: | ¥29.135497 |
100+: | ¥23.420836 |
500+: | ¥19.242277 |
1000+: | ¥16.493434 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥32.50