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IRFH8324TR2PBF

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IRFH8324TR2PBF
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 8.154976 8.15
10 6.684608 66.85
25 6.286745 157.17
100 5.851813 585.18

规格参数

属性
参数值

制造商型号

IRFH8324TR2PBF

制造商

INFINEON(英飞凌)

商品描述

MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN

包装

Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列

HEXFET®

零件状态

Obsolete

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

23A (Ta), 90A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

4.1mOhm @ 20A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

2.35V @ 50µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

31nC @ 10V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

2380pF @ 10V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

3.6W (Ta), 54W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

PQFN (5x6)

封装/外壳

8-PowerTDFN

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型号:IRFH8324TR2PBF

品牌:INFINEON

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