
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥17.308103 | ¥17.31 |
| 10 | ¥15.549287 | ¥155.49 |
| 100 | ¥12.7391 | ¥1273.91 |
| 500 | ¥10.844507 | ¥5422.25 |
| 1000 | ¥9.145961 | ¥9145.96 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 270 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 65 nC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 44 ns
正向跨导(Min) 6.4 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 80 ns
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0SIHG20N50C-E3
型号:SIHG20N50C-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥17.308103 |
| 10+: | ¥15.549287 |
| 100+: | ¥12.7391 |
| 500+: | ¥10.844507 |
| 1000+: | ¥9.145961 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.31