STS10P3LLH6
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- 制造商编号：
- STS10P3LLH6
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：309
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.410476 | ￥18.41 |
| 10 | ￥16.4088 | ￥164.09 |
| 25 | ￥15.56859 | ￥389.21 |
| 100 | ￥11.676443 | ￥1167.64 |
| 250 | ￥11.565238 | ￥2891.31 |
| 500 | ￥9.897175 | ￥4948.59 |
| 1000 | ￥8.062306 | ￥8062.31 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STS10P3LLH6
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
STripFET™ H6
零件状态
Active
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
12mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA (Min)
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
33nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3350pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.7W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
STS10P3LLH6 同类别型号
注
STS10P3LLH6品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STS10P3LLH6
数据手册PDF。
STS10P3LLH6
型号：STS10P3LLH6
品牌：ST
供货：锐单
库存：309 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥18.410476 |
| 10+： | ￥16.4088 |
| 25+： | ￥15.56859 |
| 100+： | ￥11.676443 |
| 250+： | ￥11.565238 |
| 500+： | ￥9.897175 |
| 1000+： | ￥8.062306 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.41