货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥19.668443 | ¥19.67 |
10 | ¥17.618156 | ¥176.18 |
100 | ¥14.160086 | ¥1416.01 |
500 | ¥11.633944 | ¥5816.97 |
1000 | ¥9.639444 | ¥9639.44 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 15.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 72 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD30N08S2L-21 SP000252170
单位重量 330 mg
购物车
0IPD30N08S2L21ATMA1
型号:IPD30N08S2L21ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.668443 |
10+: | ¥17.618156 |
100+: | ¥14.160086 |
500+: | ¥11.633944 |
1000+: | ¥9.639444 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.67