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IPD30N08S2L21ATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPD30N08S2L21ATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
渠道:
digikey

库存 :4232

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 19.668443 19.67
10 17.618156 176.18
100 14.160086 1416.01
500 11.633944 5816.97
1000 9.639444 9639.44

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 OptiMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 75 V

漏极电流 30 A

漏源电阻 15.9 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 72 nC

耗散功率 136 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 11 ns

上升时间 30 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 44 ns

典型接通延迟时间 9 ns

外形参数

高度 2.3 mm

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPD30N08S2L-21 SP000252170

单位重量 330 mg

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IPD30N08S2L21ATMA1

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型号:IPD30N08S2L21ATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:4232 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥19.668443
10+: ¥17.618156
100+: ¥14.160086
500+: ¥11.633944
1000+: ¥9.639444

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