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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 68 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 11 ns
典型关闭延迟时间 79 ns
典型接通延迟时间 15.5 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB60R180C7 SP001296224
单位重量 4 g
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0IPB60R180C7ATMA1
型号:IPB60R180C7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
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