货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.121175 | ¥17.12 |
10 | ¥15.355553 | ¥153.56 |
100 | ¥12.339953 | ¥1234.00 |
500 | ¥10.138544 | ¥5069.27 |
1000 | ¥8.400478 | ¥8400.48 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 33 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
上升时间 19 ns
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0SIHF12N65E-GE3
型号:SIHF12N65E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.121175 |
10+: | ¥15.355553 |
100+: | ¥12.339953 |
500+: | ¥10.138544 |
1000+: | ¥8.400478 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.12