货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥21.523476 | ¥21.52 |
10 | ¥19.350027 | ¥193.50 |
100 | ¥15.553877 | ¥1555.39 |
500 | ¥12.779177 | ¥6389.59 |
1000 | ¥10.588426 | ¥10588.43 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 31 A
漏源电阻 75 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 78 nC
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 115 ns
正向跨导(Min) 25 S
上升时间 280 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 125 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0FQP34N20
型号:FQP34N20
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥21.523476 |
10+: | ¥19.350027 |
100+: | ¥15.553877 |
500+: | ¥12.779177 |
1000+: | ¥10.588426 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥21.52