货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.87342 | ¥8.87 |
10 | ¥7.836106 | ¥78.36 |
100 | ¥6.003931 | ¥600.39 |
500 | ¥4.746156 | ¥2373.08 |
1000 | ¥3.79695 | ¥3796.95 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 17.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 14.5 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 5 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RF4E080BN
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0RF4E080BNTR
型号:RF4E080BNTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.87342 |
10+: | ¥7.836106 |
100+: | ¥6.003931 |
500+: | ¥4.746156 |
1000+: | ¥3.79695 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.87