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SIHJ690N60E-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIHJ690N60E-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH E PWR PWRPAK SO-8L
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 20.510999 20.51
10 18.435187 184.35
25 17.392339 434.81
100 13.565678 1356.57
250 13.217486 3304.37
500 11.478252 5739.13
1000 9.739018 9739.02

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 5.6 A

漏源电阻 600 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 5 V

栅极电荷 8 nC

耗散功率 48 W

通道模式 Enhancement

下降时间 22 ns

上升时间 9 ns

典型关闭延迟时间 19 ns

典型接通延迟时间 12 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 506.600 mg

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SIHJ690N60E-T1-GE3

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型号:SIHJ690N60E-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥20.510999
10+: ¥18.435187
25+: ¥17.392339
100+: ¥13.565678
250+: ¥13.217486
500+: ¥11.478252
1000+: ¥9.739018

货期:7-10天

+ -

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