
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥10.174047 | ¥10.17 |
| 10 | ¥8.984687 | ¥89.85 |
| 100 | ¥6.883961 | ¥688.40 |
| 500 | ¥5.441826 | ¥2720.91 |
| 1000 | ¥4.35349 | ¥4353.49 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 17.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 14.5 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 5 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RF4E080BN
购物车
0RF4E080BNTR
型号:RF4E080BNTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥10.174047 |
| 10+: | ¥8.984687 |
| 100+: | ¥6.883961 |
| 500+: | ¥5.441826 |
| 1000+: | ¥4.35349 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.17