
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥40.995698 | ¥41.00 |
| 10 | ¥34.396392 | ¥343.96 |
| 100 | ¥27.828509 | ¥2782.85 |
| 500 | ¥24.735976 | ¥12367.99 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 404 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 72 W
通道模式 Enhancement
下降时间 9 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 54 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB65R190C7 SP002447550
单位重量 324 mg
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0IPB65R190C7ATMA2
型号:IPB65R190C7ATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥40.995698 |
| 10+: | ¥34.396392 |
| 100+: | ¥27.828509 |
| 500+: | ¥24.735976 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥41.00