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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ : 需询价 | ||
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 218 A
漏源电阻 900 uOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 139 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 320 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 52 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 106 mg
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0FDMS1D5N03
型号:FDMS1D5N03
品牌:ON
供货:锐单
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货期:1-2天
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