
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥13.006401 | ¥13.01 |
| 10 | ¥11.28164 | ¥112.82 |
| 100 | ¥7.806669 | ¥780.67 |
| 500 | ¥6.522993 | ¥3261.50 |
| 1000 | ¥5.551612 | ¥5551.61 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 43 A
漏源电阻 5.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 19 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 0.85 mm
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
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0TPN6R303NC,LQ
型号:TPN6R303NC,LQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥13.006401 |
| 10+: | ¥11.28164 |
| 100+: | ¥7.806669 |
| 500+: | ¥6.522993 |
| 1000+: | ¥5.551612 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.01