TSM020N04LCR RLG
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- TSM020N04LCR RLG
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
- 渠道：
- digikey
库存 ：4770
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.669114 | ￥17.67 |
| 10 | ￥15.790998 | ￥157.91 |
| 25 | ￥14.985385 | ￥374.63 |
| 100 | ￥11.239039 | ￥1123.90 |
| 250 | ￥11.131294 | ￥2782.82 |
| 500 | ￥9.526001 | ￥4763.00 |
| 1000 | ￥7.75983 | ￥7759.83 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
TSM020N04LCR RLG
制造商
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
商品描述
MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
170A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2mOhm @ 27A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
150nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
7942pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
104W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-PDFN (5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN
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注
TSM020N04LCR RLG品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、TSM020N04LCR RLG
数据手册PDF。
TSM020N04LCR RLG
型号：TSM020N04LCR RLG
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：4770 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.669114 |
| 10+： | ￥15.790998 |
| 25+： | ￥14.985385 |
| 100+： | ￥11.239039 |
| 250+： | ￥11.131294 |
| 500+： | ￥9.526001 |
| 1000+： | ￥7.75983 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.67