
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥31.514232 | ¥31.51 |
| 10 | ¥24.660652 | ¥246.61 |
| 100 | ¥20.753499 | ¥2075.35 |
| 500 | ¥18.284987 | ¥9142.49 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 3.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 63.4 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC036NE7NS3 G SP000907920
单位重量 104.400 mg
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0BSC036NE7NS3GATMA1
型号:BSC036NE7NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥31.514232 |
| 10+: | ¥24.660652 |
| 100+: | ¥20.753499 |
| 500+: | ¥18.284987 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥31.51